BJT vs MOSFET

av **Style** » 2004-09-14 22:17

mina (relativt kassa) kunskaper i analog elekotronik (pga massivt ointresse av allt icke-digitalt under skoltiden) säger att BJT är det som gäller för förstärkare (transkonduktans etc). Ändå verkar det finnas massor med konstruktioner baserat på fälteffekttrissor. Varför det? Kan nån förklara?

av **Style** » 2004-09-14 22:18

tillägg: allt icke-digitalt ska tolkas som: allt icke programmerbart med relativt högnivåspråk (dvs minst C)

av **Morello** » 2004-09-14 23:42

Jag använder ibland JFET:ar(tex. 2SK170 och 2SK117) i ingångssteg och dylikt, men alltid bipolära trissor i utgångssteget i slutsteg, pga mindre spridning mellan exemplar, högre transkonduktans och mer lätthanterbara termiska effekter.

av **Style** » 2004-09-14 23:46

det var ett icke-svar Morello, du sa det jag redan visste men jag ville veta varför andra inte gör så

EDIT, eller missförståd jag din syftning? BJT har väl högre transkonduktans?

av **Morello** » 2004-09-14 23:49

Style skrev:det var ett icke-svar Morello, du sa det jag redan visste men jag ville veta varför andra inte gör så

Kanske finns folk som tycker att MOSFET låter bättre. Finns en lite fördel med MOSFET, nämligen att ingångsimpedansen, vid låga frekvenser, är approximativt oändlig, vilket medger att drivsteget kan göras enklare. Å andra sidan är kapacitansen ganska hög, så man måste tillse att gaten drivs relativt lågohmigt vid höga frekvenser. Detta kan man lösa genom att kombinera faskompensationen med kapacitiv återkoppling i drivsteget(med en så kallad miller-kondensator).

Ta en titt På Douglas Self's hemsida för mer info

av **Naqref** » 2004-09-14 23:49

Morello skrev:och mer lätthanterbara termiska effekter.

Det är rätt intressant för det hävdas att fetar är bättre just på detta i o m att de stryper när de blir varmare. Men de är en sanning med modifikation. Alla fetar jag har kollat på beter sig som BJT vid rimliga strömmar (d v s de leder mer vid temperatorökningar) men vid kanske halva maxströmmen så får de denna egenskap. Då ligger man långt upp på klass-a så det är i princip bara där denna egenskap är intressant.

av **Morello** » 2004-09-14 23:52

Jo, precis. Jag känner till ett MOSFET-slutsteg som har en sådan extrem termisk översläng vid uppstart att säkringarna brinner ungefär en gång på 100

. Bra att du tar död på den gamla dogmen om att MOSFET-arna alltid har negativ tempkoeff.

av **Pabo** » 2004-09-16 13:48

Man kan väl säga att MOSFETar kan drivas till högre frekvenser än BJTer. Kapacitansen på ingången gör att de kräver mer och mer ström ju högra frekvensen blir men så länge man tillför den strömmen så har man större möjlig bandbredd.

Som exempel kan nämnas att jag uppnår ca 20ns (-40V till +40V)flanker med 2A drivning med en MOSFET medan en bipolär kanske skulle nå 200ns i medvind och med 10A drivning.

av **Morello** » 2004-09-24 14:35

Style skrev:det var ett icke-svar Morello, du sa det jag redan visste men jag ville veta varför andra inte gör så

EDIT, eller missförståd jag din syftning? BJT har väl högre transkonduktans?

Ja, BJT har högre transkonduktans. I en bipolär transistor är transkondtktansen approximativt:

gm= Ic/(25*10-^3)

I ett typiskt slusteg med 75 mA viloström har vi således inte mindre än gm=3 S i vilopunkten.