Vad sägs om följande - SiC BJT target specifications:
-Room temperature VCESAT less than 1 V (at RT)
-1200 V and 6 A device rating
-TO220 device package
-capable of 175 ºC or single die capable of 250 ºC
-Storage time delay less than 100 ns
-Rise- and fall-times less than 50 ns and nearly temperature independent switching
-Wide RBSOA, short-circuit capability and excellent immunity to cosmic rays
Tolv (6+6) sådana borde sitta som hand i handske tillsammans med en matningsspänning på +/- 120 volt för en förstärkare på närmare 800W. Tänk transistorer som får en spänningstålighet som räcker till med fem gångers marginal.
Någon som vet när det kommer en hififörstärkare med kiselkarbidtransistorer?
/SS
