Förstärkning i mikrofon

[Sigurd_Ruschkowski]

Sigurd.
Vad har din krets "DubbelLED-1" för ingångskapacitans och ingångsresistans?

Med 10MEG på ingången får jag en -3dB vid 27kHz, dvs
en inkap på 0,6 pF.

Rin = 152GOhm


Sigurd

[Flint]

Med 10MEG på ingången får jag en -3dB vid 27kHz, dvs
en inkap på 0,6 pF.

Rin = 152GOhm

Fullständigt förnämligt.

[Sigurd_Ruschkowski]

Jag menar alltså inte hur högt upp den går i frekc utan hur linjär den är som förstärkare.
Dvs Hur raka är kurvorna Id vs Vds i sitt arbetsområde.

Är inte det i princip samma sak? Berätta.

Vi tar en bipolär trissa.
10uA in på basen ger tex 10mA genom emittern
20 uA ska då ge 20mA
200uA ska då ge 200mA

Linjärt som bara i teorin.

En olinjär trissa:
10uA ger 10mA
20uA ger 22mA
200uA ger 250mA

Jag tror du syftar på ft för transistorn, dvs hör högt upp i frekvens den går.



Sigurd

[Flint]

Sigurd_Ruschkowski
Ah... Jag missuppfattade dig och tänkte linjär i förstärkning som/typ frekvensgång. Tyckte att jag såg ett C med i frågan. Läste slarvigt, hade förutfattad mening. Nu är jag med.

I det du menar vet jag inte heller hur BF245A uppför sig. Men med tanke på att distsiffrorna inte är så tokiga kan ju inte förstärkningslinjariteten vara så tokig heller. Gissning.

Förresten, det kan vi ju simulera. Jämföra mellan olika fetar.

[Sigurd_Ruschkowski]

Sigurd_Ruschkowski

I det du menar vet jag inte heller hur BF245A uppför sig. Men med tanke på att distsiffrorna inte är så tokiga kan ju inte förstärkningslinjariteten vara så tokig heller. Gissning.

Förresten, det kan vi ju simulera. Jämföra mellan olika fetar.

Jepp, det kan simuleras

Men nu vill jag kika på denna koppling och försöka få den att funka:





/S

[Flint]

Få se om du kommer till andra slutsatser än vad jag gjorde. Grupparbete, kul.

[Flint]

Någon som vet vad som händer med ljudet om man belastar en mickkapsel med säg 1G mot tex 10M respektive 1kOhm?Sigurd

Det borde påverka fu. Kapselns 56P i förhållande till belastningen säg 1G, så länge kretsen håller det värdet upp i frekvens förstås. För sen tar ju fetens problem vid och bestämmer belastningen.


Jag ifrågasätter om Gigaohmvärden är så nödvändiga eftersom fetens ingångsimpedans kan se ut så här. Det är ju bara under 10Hz som det verkar stämma. (?)

[Sigurd_Ruschkowski]

Få se om du kommer till andra slutsatser än vad jag gjorde. Grupparbete, kul.

Kretsen går inte få att fungera med 2SK170-modellen jag använder just nu.



Sigurd

[Flint]

Få se om du kommer till andra slutsatser än vad jag gjorde. Grupparbete, kul.

Kretsen går inte få att fungera med 2SK170.

Har du testat med 1G//1uF på övre feten? Typ den här:

[Sigurd_Ruschkowski]

Någon som vet vad som händer med ljudet om man belastar en mickkapsel med säg 1G mot tex 10M respektive 1kOhm?Sigurd

Det borde påverka fu. Kapselns 56P i förhållande till belastningen säg 1G, så länge kretsen håller det värdet upp i frekvens förstås. För sen tar ju fetens problem vid och bestämmer belastningen.

Jag ifrågasätter om Gigaohmvärden är så nödvändiga eftersom fetens ingångsimpedans kan se ut så här. Det är ju bara under 10Hz som det verkar stämma. (?)

Jag tycker det verkar som om det är ingångskapacitansen på kopplingen som är mer avgörande än om man har 1GOhm vid 10Hz.
Vid 10kHz kanske man bara har 1kOhm.

Jag skulle vilja ha en spec från en kapseltillverkare som säger hur mkt impedans den kan belastas med vid olika frekvenser.

Roger,
har du läst något om detta någonstans? eller kan du fråga någon?



Sigurd

[RogerGustavsson]

Med tanke på att den föreslagna kopplingen som återfinns i produktbladet för Primo-kapseln http://user.faktiskt.io/RogerGustavsson/EM21.pdf kör med en 2SK118 O (Idss 0.6-1.4 mA), är det kanske denna FET man ska göra en simulering på? Vad gör 2SK118 annorlunda mot 2SK170? Den av Primo visade kopplingen ska tydligen ha en högre brusnivå och kunna hantera högre nivåer än Telinga-kopplingen med 2SK170. I flera artiklar kring mikrofoner nämns att det krävs ett stort motstånd parallellt på ingången för att inte basen ska skäras. Mycket mer brukar inte finnas att läsa.

[Flint]

Jag tycker det verkar som om det är ingångskapacitansen på kopplingen som är mer avgörande än om man har 1GOhm vid 10Hz. Vid 10kHz kanske man bara har 1kOhm.

Ja, men det belastar troligen kapseln lika mycket som en resistiv belastning.

[Sigurd_Ruschkowski]

Jag tycker det verkar som om det är ingångskapacitansen på kopplingen som är mer avgörande än om man har 1GOhm vid 10Hz. Vid 10kHz kanske man bara har 1kOhm.

Ja, men det belastar troligen kapseln lika mycket som en resistiv belastning.

Javisst,
impedans som impedans med skillnaden att en kap även fasvrider och är frekvensberoende.


Sigurd

[Flint]

Hur raka är kurvorna Id vs Vds i sitt arbetsområde. Jag hittar nämligen inte data på varken brus eller linjaritet i databladet.

Kopierat ur ELFA:s datablad för BF245A:





Simulering av samma "mätinställning".

[Sigurd_Ruschkowski]

Få se om du kommer till andra slutsatser än vad jag gjorde. Grupparbete, kul.

Kretsen går inte få att fungera med 2SK170.

Har du testat med 1G//1uF på övre feten? Typ den här:

Med denna modell av 2Sk170V fungerar det bättre att simulera PPSR-kretsen:

.model 2sk170V NJF(Beta=59.86m RS=4.151 RD=4.151 Lambda=1.923m
+ Vto=-.5024 Cgd=20p Pb=0.4746 Fc=0.5
+ Cgs=25.48p Is=8.477p
+ Kf=111.3E-18 Af=1)












Sigurd

[Sigurd_Ruschkowski]

Hur raka är kurvorna Id vs Vds i sitt arbetsområde. Jag hittar nämligen inte data på varken brus eller linjaritet i databladet.

Kopierat ur ELFA:s datablad för BF245A:





Simulering av samma "mätinställning".

Mycket intressant!

Set ut som om SPICE-modellen är sämre än vad databladet visar!

Kan det vara skillnad på de olika leverantörernas BF245?
Borde det inte vara..

I min modell står det Motorola.



Sigurd

[Flint]

Om PPSR Rev B.
Behöver du fortfarande 1G-motståndet på den övre feten även med det spicet? Frågan är intressant eftersom jag vill veta om min teori om gatestömmen stämmer.


/

[Flint]

Set ut som om SPICE-modellen är sämre än vad databladet visar!

Undrar om jag inte litar mer på simuleringen i det här fallet?
Tror att mitt spice kommer från Philips.


/

[Flint]

2SK170 enligt Toshiba. Idss?





Simulerat samma Vgs med Sigurds 4mA-version som kommer närmast Toshibas.

[Sigurd_Ruschkowski]

Med tanke på att den föreslagna kopplingen som återfinns i produktbladet för Primo-kapseln http://user.faktiskt.io/RogerGustavsson/EM21.pdf kör med en 2SK118 O (Idss 0.6-1.4 mA), är det kanske denna FET man ska göra en simulering på?

Vad gör 2SK118 annorlunda mot 2SK170? Den av Primo visade kopplingen ska tydligen ha en högre brusnivå och kunna hantera högre nivåer än Telinga-kopplingen med 2SK170. I flera artiklar kring mikrofoner nämns att det krävs ett stort motstånd parallellt på ingången för att inte basen ska skäras. Mycket mer brukar inte finnas att läsa.

2Sk118 har stora skillnader i data jmf med 2Sk170.
Den verkar vara mer gjord för en impedansomvandlare än 2Sk170 som funger mkt bra som förstärkare.

2Sk118 har i jmf med 2Sk170:
- lägre konduktans
- lägre Ciss och Crss
- mer linjär

- mm mm






Primo har anv O-versionen utav Sk118 (Idss = 0,5...1,4 mA) men jag har bara modell för Idss = 6 mA:




Zin:



10 Hz: 3G
100 Hz: 450M
1kHz : 45MOhm
10kHz:4,5M


Frekvensgång:



Brus:



Arbetspunkt:



THD:





Nu vet vi lite mer om PRIMO-kretsen.
Speciellt viktigt är nog Zin. Däromkring som PRIMO håller sig
bör andara kretsar oxå göra.



Sigurd

[Sigurd_Ruschkowski]

2SK170 enligt Toshiba. Idss?





Simulerat samma Vgs med Sigurds 4mA-version som kommer närmast Toshibas.

Idss är vid Ugs = 0 och någon Vds.

Tex 3,75 mA vid 3V i din sim och 2,75mA i databladsbilden.

Ofta anges Idss vid 10 V Vds. Där har jag lagt mina Idss i modellerna.




Sigurd

[Sigurd_Ruschkowski]

Set ut som om SPICE-modellen är sämre än vad databladet visar!

Undrar om jag inte litar mer på simuleringen i det här fallet?

quote]


De skulle jag göra.



Sigurd

[Flint]

Jag får inte dc-nivåerna att stämma i den här kretsen.





Blir så här. För hög spänning på source. Jag behöver upp i ett par kilo för att det ska likna något.

[Flint]

Idss är vid Ugs = 0 och någon Vds.

Tex 3,75 mA vid 3V i din sim och 2,75mA i databladsbilden.

Ofta anges Idss vid 10 V Vds. Där har jag lagt mina Idss i modellerna.

Aha, va bra. Det kände jag inte till, hur man definierar den. Tack.
Fast egentligen gjorde jag nog det . Det blir ju strömmen som den stabbar vid när man kortar gate till jord och lägger på en spänning på drain när man matchar dom.

[RogerGustavsson]

Jag får inte dc-nivåerna att stämma i den här kretsen.
Jag behöver upp i ett par kilo för att det ska likna något.

Hur blir det då med den som sitter i mina mikrofoner? Där finns inget motstånd alls i den positionen. http://user.faktiskt.io/RogerGustavsson/Nakamichi%201.JPG

[Flint]

Först originalkretsen.
Jag har slopat dämpningen 220p och måst lägga till några motstånd runt trafon för att simuleringen skall fungera. Det påverkar dock inte funktionen. Ingångskondensatorn är hög för att tillåta simulering av bara elektroniken. Fungerar bra. DC-nivåerna stämmer bra med 2SK118. Trafon har rätt omsättning 3.16:1 spänning dvs. 10:1 impedans.


Originalet dämpar signalen. Första övertonen på 0,25% vid 8mV rms in.






Med Bias 1G istället till jord blir det högre förstärkning. Arbetspunkten kan behöva trimmas lite. Första övertonen på 0,07% vid 8mV rms in.





Och med en konding över sourcmotståndet blir det ytterligare lite ökning av förstärkningen. Första övertonen på 0,2% vid 8mV rms in.

[RogerGustavsson]

Väntar med spänning på om Primo's schema gör nnågot annorlunda.... Alltså vad som händer när man tar signalen som Primo gör och utesluter 2k2 motståndet och skippar transformatorn.

Man skulle väl kunna tänka sig att behålla denna ingångskrets i någon form och hänga på något som liknar t.ex. figur 4 i detta dokument: http://www.borbelyaudio.com/adobe/borb502.pdf Kan det vara en gångbar lösning? Visserligen med +- matningar men ändå.

[Flint]

Väntar med spänning på om Primo's schema gör nnågot annorlunda.... Alltså vad som händer när man tar signalen som Primo gör och utesluter 2k2 motståndet och skippar transformatorn.

Sigurds simulering visar ju att den kopplingen fungerar bra och med låg dist. Det är ju en ren buffert så någon spänningsvinst finns ju inte. Men det finns det ju inte mycket att tala om i Nakamichikretsen heller. Bara olika sätt att komma fram till ungefär samma mål. Primos koppling är ju enklare iom. att den saknar trafon. Enklare än Primokretsen kan det knappast bli.

Man skulle väl kunna tänka sig att behålla denna ingångskrets i någon form och hänga på något som liknar t.ex. figur 4 i detta dokument: http://www.borbelyaudio.com/adobe/borb502.pdf Kan det vara en gångbar lösning? Visserligen med +- matningar men ändå.

Inget som hindrar utom det rent fysiska utrymmet. Min egen uppfattning lutar mer och mer åt en buffert typ Primo följ av en ytmonterad dubbel-IC om det ska vara lite högre förstärkning i micken. Verkar mest effektivt om man väger för mot nackdelar. Jag är sugen att prova min enkelmatade version med lyter på utgången. Har kört så i mitt nuvarande försteg ett havår nu och inte hittat något att klaga på. Jo ett poff när jag startar det. Men det går att bygga bort. Men nu var det mick det gällde.

[RogerGustavsson]

Rörde visst ihop en del. Den koppling som mina mikrofoner har:

Denna ger mera nivå ut och lägre distorsion? Kan den ha någon nackdel eftersom den inte används?

Vad händer om jag lägger batteriets minus ner till jord och utesluter 2k2-motståndet? Eller ska jag ta ut signalen över 1k2-motståndet? Jag tycker det ser konstigt ut med signalen genom batteriet. Det är kanske är ett tankefel? Kan ju inte det här riktigt....

[Flint]

Denna ger mera nivå ut och lägre distorsion? Kan den ha någon nackdel eftersom den inte används?

Jag ser ingen direkt anledning till att den inte används. Ser inga nackdelar heller. Men det finns säkert någon eftersom dom kopplar som dom gör.

Vad händer om jag lägger batteriets minus ner till jord och utesluter 2k2-motståndet? Eller ska jag ta ut signalen över 1k2-motståndet? Jag tycker det ser konstigt ut med signalen genom batteriet. Det är kanske är ett tankefel? Kan ju inte det här riktigt....

Nu är feten kopplad som spännigsförstärkare. Om du tar bort 2.2K som är fetens drainmotstånd måste du ta ut signalen på fetens drain istället. Då blir kretsen enbart en buffert med spänningsförstärkning strax under 1:1. I det läget skulle trafon hellre ha förhållandet 1:1 för att passa bättre. Kopplingen ser lite förvirrande ut eftersom dom har lagt batteriet så där. Finns som jag ser det ingen direkt teknisk anledning. Strömbrytaren kan lika gärna ligga någon annanstans i slingan. Kanske bara ett val för att förvirra.