Övergångsdist?

[Morello]

Om vi för ett ögonblick antar att utgångssteget drivs lågohmigt återstår olinjäriteten som orsakas av transkonduktansens strömberoende. gm står i proportion till strömmen.

Överförinsgfunktionen blir således:

Zlast/(Zlast + 1/gm)

Förstärkningen är alltid <1, men mycket nära ett.


Ju högre viloström, desto större blir gm, varför distorsionen minskar.
Har man ett för svagt förspänt klass-AB-steg kommer gm att sjunka för mycket runt den bipolära nollgenomgången, vilket orsakar s.k. övergångsdist. Blanda aldrig ihop detta med glapp/diskontinuitet.

[Flint]

Flint:

Sant, men med en lämpligt dimensionerad drivning skall inte denna olinjäritet påverka så mycket för den slutliga resultatet.
Å andra sidan är vi ju inne på extremer här som ligger massor med gånger över dom effekter som vi normalt hanterar i audio så det är väl inga problem att unvika den olinjäritet du beskriver ?
Det är ju inte svetsning vi pratar (såvida man inte kortslutit utgången)

Om vi omformulerar det till en fråga: Hur påverkar olinjariteten slutresultatet?
Som jag ser det - mycket komplext och svårgreppbart - eftersom hela steget ofta är ganska hårt motkopplat. Sluttrissornas olinjaritet gör att drivsteget får kompensera och mata hårdare ju högre man spelar. Alltså förskjuts problemet till att beröra hela den motkopplade slingan.

Inlägget skall inte ses som ett argument mot motkoppling utan snarare ett spånande runt slutstegskonstruktion. Kanske OT eftersom det inte direkt rör ÖD.

[Hedlund_inaktiv]

Om utgångssteget är korrekt dimensionerat så är det extremt linjärt.
Det är bara att se till att det är tillräckligt med förspänning för att transistorerna skall komma upp i ett linjärt arbetsområde och se till att dom inte pressas så hårt att dom kommer ur sitt linjära område.

Då ska väl inte dom olinjäriteterna som du nämner påverka så mycket...


Tack för svar Morello.

[Flint]

Hedlund

Förtydligande.

Vad menar du med ordet "linjärt"?

Vad menar du med "korrekt dimensionerat"?

[Hedlund_inaktiv]

Vad är det du inte förstår med "linjärt" och "korrekt dimensionerat" ???
Det är ganska enkla begrepp att förstå.

Linjärt = linjärt arbetsområde.
Korrekt dimensionerat = i detta sammanhanget tillräckligt med utrymme för drivtrissorna för att driva utgångstransistorerna utan att själv hamna utanför sitt linjära område.

[Flint]

Vad är det du inte förstår med "linjärt" och "korrekt dimensionerat" ???
Det är ganska enkla begrepp att förstå.

Linjärt = linjärt arbetsområde.
Korrekt dimensionerat = i detta sammanhanget tillräckligt med utrymme för drivtrissorna för att driva utgångstransistorerna utan att själv hamna utanför sitt linjära område.

Du ger fortfarande ingen bra förklaring på ordet "linjär". "Linjärt arbetsområde" säger du. Menar du linjär förstärkningsfaktor för ström vid alla nivåer eller linjär förstärkningsfaktor för ström vid alla nivåer och dessutom vid olika frekvenser från dc till GHz.

Och, din förklaring på "korrekt dimensionerat" bygger ju på att "linjär" är tydligt definierad.


Om du tycker att vi inte kommer längre lägger vi ner diskussionen innan den blir otrevlig.

[Hedlund_inaktiv]

Otrevligt behöver det inte bli...

Det här går att utveckla hur långt som helst och du kan säkert hitta på 100 nya frågor hela tiden, och jag är inte redo att svara på dom i oändlighet.

För att avsluta just dom här begreppen så:

Linjärt = Linjärt område för den tänkta applikationen, under alla normala driftbetingelser som apparaten rimligtvis kan krävas behöva leverera under normal användning.

Korrekt dimensionerad = att den klarar av det ovanstående.

[Flint]

Otrevligt behöver det inte bli...

Det här går att utveckla hur långt som helst och du kan säkert hitta på 100 nya frågor hela tiden, och jag är inte redo att svara på dom i oändlighet.

För att avsluta just dom här begreppen så:

Linjärt = Linjärt område för den tänkta applikationen, under alla normala driftbetingelser som apparaten rimligtvis kan krävas behöva leverera under normal användning.

Korrekt dimensionerad = att den klarar av det ovanstående.

Jag tjatade lite är för att det är lätt att ta saker för givet. Eftersom sluttransistorena varierar i förstärkning från säg 20 till 250ggr inom sitt tänkta arbetsområde får det konsekvenser för resten i/av konstruktionen. Det är lätt att tänka: emitterföljare = strömförstärkning = bra. Visst - men hur? Inom vilka gränser och vad får det för följder? Men eftersom vi inte ska konstruera ett slutsteg här - varför bry sig. Åter till ÖD.

[Morello]

ÖD=ÖverDängare?

[Hedlund_inaktiv]

ÖD=ÖverDängare?

???
Misstänker att du skrattar i tysthet åt oss...

[Svante]

Ju högre viloström, desto större blir gm, varför distorsionen minskar.
Har man ett för svagt förspänt klass-AB-steg kommer gm att sjunka för mycket runt den bipolära nollgenomgången, vilket orsakar s.k. övergångsdist. Blanda aldrig ihop detta med glapp/diskontinuitet.

Jomen, det gör jag gärna.

Alltså, på den tiden när jag byggde förstärkare så lyckades jag ganska lätt få övergången slät och fin vid låga frekvenser, men när jag ökade frekvensen så kom det där lilla hacket i övergången om jag inte drog upp tomgångsströmmen rätt mycket. Diskontinuerlig blev förstås aldrig vågformen (i strikt mening kan den ju inte bli det av rent fysikaliska skäl) men nog vill jag kalla det ett glapp.

[Morello]

LÅter som det var något knas med appareten; ett glapp blir det inte om det finns en viloström. Kanske hade du problem att få viloströmmen stabil så att den minskade under vissa omständigheter?

[Flint]

Nej ett glapp ska det inte bli när det går vilostöm men om inte transistorparet har exakt samma beteende i området där de börjar leda resulterar det i dist. De måste ha identiska förstärkningsfaktorer i "strypområdet".

[PeterAkemark]

Jo, jag kommer ihåg när jag, som så många andra, byggde slutsteg. Det fanns ett moment som alltid krånglade nämligen att få en stabil tomgångsström genom effekttransistorerna, alltså inte fet-transistorer.

Om strömmen var rätt i tomgång så blev den fel, för liten, efter att slutsteget blev belastat. Detta berodde på att kylarna, där den temperaturavkännade transistorn satt, blev varm och drog ner tomgångsströmmen. En sorts termodynamisk modulation av tomgångströmmen således. Den termiska kopplingen behövs ju för att förhindra strömrusningen som uppstår vid ökad temperatur.

[Flint]

PeterAkemark
Visst är det så, å ju närmare strypgränsen man ligger ju känsligare bör även det problemet bli. Du körde ju med en diod på kylflänsen i din 75-wattare, tyckte du att det fungerade bättre än "biastrissan" direkt på kylarn?

[PeterAkemark]

Flint:

Nä, det fungerade inte särskilt bra. Bäst blev det i klass A, av ovan nämnda orsaker. Kylflänsarna var ordentligt varma så skillnaden obelastad/belastad blev marginell. Ingen vidare verkningsgrad och en massa andra problem.

Det är kanske därför som så många uppskattar klass-A slutsteg.

[Flint]

Jag skrev en hyllning till LM3886 för några veckor sen i en tråd. Den gäller än. Ruskigt smidigt att bara dra fast ett par i en kylare och ansluta några kablar och poppa på. Inga biasjusteringar och inga poffar vid av och på. Drar nästan ingen tomgångseffekt, jag får knappt effektmätaren kopplad till nätsladden att reagera. Och den spelar helt OK i mina öron.

[Flint]

Övergångsdist vid olika bias. Bara sluttrissorna och drivsteget visat.
Ton och dist har samma skala.
Biasström = spänningen över emittermotstånden genom totala resistansen. Bara att räkna.

[PeterAkemark]

Fantastiskt vad lite ström kan göra...

[Flint]

Fantastiskt vad lite ström kan göra...

Hehe... Ja och vad kul man kan ha med den. Rita grafer och vara pedagogisk.

[Svante]

Flint: Kan du skrämma upp frekvensen i simuleringen också, klarar progget det?

[Flint]

Flint: Kan du skrämma upp frekvensen i simuleringen också, klarar progget det?

Absolut. Du kan få GHz om du vill. Vad vill du ha? 10kHz? Jag får räkna om distfiltret manuellt bara men det är snart gjort. Prg. har ingen funktion för att visa disten som jag har gjort på bilderna så jag kör med ett T-filter som inte är med på bilden.

[Svante]

Flint: Kan du skrämma upp frekvensen i simuleringen också, klarar progget det?

Absolut. Du kan få GHz om du vill. Vad vill du ha? 10kHz? Jag får räkna om distfiltret manuellt bara men det är snart gjort. Prg. har ingen funktion för att visa disten som jag har gjort på bilderna så jag kör med ett T-filter som inte är med på bilden.

Jag är mest intresserad om huruvida en koppling som beter sig snällt vid låga frekvenser kan få övergångsdist vid höga frekvenser.

[Flint]

Svante
Jag förstår det. Mycket bra uppslag. Undrar om spicen klarar det? Ingångskapacitans med resulterande uppladdning och "eftersläp".

[Flint]

10kHz (drygt) En ändring i övrigt. Jag har bytt emittermotstånden till amperemätare med samma resistans som emittermotstånden dvs 0.47ohm. Två flugor på smällen.

Ingen skillnad mot 1kHz. Har testat 100kHz och 1MHz också. I princip ingen skillnad där heller. Vet inte om det stämmer med verkligheten eller om simuleringen inte är tillräckligt ärlig/omfattande.

[Svante]

10kHz (drygt) En ändring i övrigt. Jag har bytt emittermotstånden till amperemätare med samma resistans som emittermotstånden dvs 0.47ohm. Två flugor på smällen.

Ingen skillnad mot 1kHz. Har testat 100kHz och 1MHz också. I princip ingen skillnad där heller. Vet inte om det stämmer med verkligheten eller om simuleringen inte är tillräckligt ärlig/omfattande.

Intressant, då infinner sig frågan hur modellen för transistorerna ser ut. Om de inte har någon kapacitans i sig, kan man kanske lägga dit åtminstone en konding per trissa mellan B och E.

[Flint]

Svante
Jag är förvånad över resultatet. Om det kanske har att göra med kopplingen emitterföljare. In och ut ligger ju i fas och motkopplas altså inte av ev. kapacitans. Ska titta igenom spicen men jag har för mig att dom innehåller kapacitans.

[Svante]

Kanske ska kretsen drivas högohmigare för att det ska synas. Drivsteget brukar ju vara mer eller mindre en strömgenerator (ett GE-steg med hög förstärkning).

[Flint]

Kanske ska kretsen drivas högohmigare för att det ska synas. Drivsteget brukar ju vara mer eller mindre en strömgenerator (ett GE-steg med hög förstärkning).

Generatorn här har noll ohm Ri. Vi testar med ett spänningsförstärkande transistorpar som det brukar kopplas.

[Flint]

Svante
Du har rätt. Kapacitansen finns inte med i simuleringen. Den finns med i spicet (själva texten) men inte i programmets beräkning. Försvann någonstans i inläsningen men nu åtgärdat. Vi får se hur stor inverkan det har. Det är bra med grupparbete.