av faulhund » 2010-03-02 23:26
Jo, de där "konstiga" transistorerna är faktiskt meningsfulla i den använda halvledarteknologin. I vanliga bipolära processer finns inga "riktiga" vertikala PNP, utan man använder den relativt svaga basdopningen till båda emitter och kollektor bredvid varandra, s.k. lateraltransistorer. PNPns bas kommer då att utgöras av det ännu mer lågdopade episkiktet, och det får till följd att de här krabaterna får en riktigt dålig och varierande strömförstärkning: Kollektorströmmen börjar avta redan innan basströmmen fått idela värden, och överföringsfunktionen blir Ic=Ik*exp(q*Vbe/2/k/T) snarare än Is*exp(q*Vbe/k/T). (SPICE-modellparametern IKF ska ha ett värde i mikroampereområdet faktiskt!)
Det bästa möjliga blir att göra emittern som en liten knapp och kollektorn runt om. Då kan man i alla fall få bra noggrannhet i en designparameter nämligen delningen mellan dem. (Ange t.ex. för Q46 SPICE-deviceparametern AREA till 0,66 resp. 0,33!)
Det är ju högst ovanligt att man ser ett så detaljerat schema i ett datablad! I många fall anges bara ett starkt förenklat "equivalent circuit", från vilket man emellertid - med ett visst jobb - kan ta fram en fungerande makromodell för ICn. Och jag har inte ägnat tid åt att bena upp det helt, men Q15-Q16 verkar ju vara för att ge en kontrollerad hysteres till övertemperaturskyddet. Jag förstår inte hur man ska kunna få förström till vara sig ingångssteg eller multiplicerad Vbe ... om man inte har glömt en lödplupp mellan skärningen av Z2 och Z3 och basen på Q30. (Pinchmotstånden t.ex. R24 är nämligen alltför onoggranna för att användas till något annat än att ge en viss liten läckström.)
I alla fall ett ambitiöst och lärorikt projekt att simulera en konstruktion som bygger på många trick i den använda processen. Min högaktning!
Thomas
Om det är någon här som jag inte har förolämpat i kväll, så ber jag denne om ursäkt. (J. Brahms)
