Rör och rörens branthet

[Flint]

En jämförelse mellan ECC83 och ECC88 vad gäller utstyrbarhet och thd. Jag har försökt få så bra anpassning i arbetspunkt som möjligt. Trimmade till max utsignal med så låg thd som möjligt. Kanske kan man klämma ur lite till om man ägnar ännumer tid åt att välja anodström. Skillnaden obelastat (ok då, 1Meg) är minimal men ECC83 kan förstås inte driva samma tuffa last som ECC88 vilket man får ta hänsyn till när dom ska in på sin respektive arbetsplatser.

[Flint]

Ingångskapacitans.

Drivimpedans=47k dvs. ungefär som ett motståndskopplat ECC83
eller en till lite drygt hälften uppdragen 220k log volympott.

I just den här kopplingen.
ECC88=53.8pF fö=63kHz
ECC83=102.5pF fö=33kHz
Inkl. Miller med brillorna.

[Kronkan]

Sedan kommer jag nog fylla soffan med mera dämpande material.

Menar du att du ska sitta i den när du lyssnar?

Öhh... blev jag för oseriös nu igen?

//

Ingen fara! Så känslig är jag inte.

Tycker att det är trevligt att Erik är med i tråden. Min egen utgångspunkt är den helt oförbättrelige subjektivistens utgångspunkt. Kan inget annat. Läser dock vad ni andra skriver med intresse. Det är inte det att jag tror på ormolja som alternativ. Inte alls. Teori och förståelse är ju alltid gott om man kan nå ditt. Annars är det vad jag själv och andra hör, upplever och känner och visionerar om som är min utgångspunkt.

Men detta är samtidigt lite överdrivit om mig själv.

[Flint]

Kronkan
Oavsett hur mycket teori man vräker i sig anser jag också att
lyssningsintrycken är det viktigaste för bedömning av ljudprylar.
Teorin och tekniken är ett intresse för sig men målet är väl på sikt att
förstå lyssningintryckens bakomliggande funktion.
Där märker vi nog alla att meningarna kan gå isär lite.
Det är bra. Trist om problemet hifi vore löst. Vad skulle vi göra då?
Lyssna på musik har väl de flesta tröttnat på, va?

[ErikAndersson]

Så sant,så sant. Men jag måste ändå ställa en dum fråga: Du som har erfarenhet av detta utmärkta program, finns det möjlighet att under transienta förlopp mäta distorisionen relaterat till upparbetsströmmarna i en Klass-B förstärkare?

[Flint]

Så sant,så sant. Men jag måste ändå ställa en dum fråga: Du som har erfarenhet av detta utmärkta program, finns det möjlighet att under transienta förlopp mäta distorisionen relaterat till upparbetsströmmarna i en Klass-B förstärkare?

Ja det går att markera ett visst område i tid och bara distmäta det området. Man bör väl lämpligen ta med minst några hela Hz för att det ska fungera. Disten jag har visat i bild tidigare kommer från ett eget spice jag har gjort av en t-brygga och det är alltså inte programmets egentliga distmätningsfunktion men den är kul för att den ger en snabb bild av övertonshalten och påminner om en verklig distmätning på arbetsbänken. Programmets egentliga distmätning visar förstås nivån på varje överton eller kan fås som en textfil att mosa över i något annat program.

[ErikAndersson]

Hm. intressant, bör kanske gå att utveckla vidare. Men det är som du skriver att det hela måste göras något bredbandigt för att fungera.

[Flint]

Hm. intressant, bör kanske gå att utveckla vidare. Men det är som du skriver att det hela måste göras något bredbandigt för att fungera.

Redovisningen av dist kan bestämmas i frekvens upp till säg Gigahertz. Bilden ovan begänsade jag för att det inte fanns nåt mer att visa högre upp i just den mätningen och inte neråt i nåvå heller vilket givetvis också går att välja.

[DS]

Hm. intressant, bör kanske gå att utveckla vidare. Men det är som du skriver att det hela måste göras något bredbandigt för att fungera.

Visningen av dist kan bestämmas i frekvens upp till säg Gigahertz. Bilden ovan begänsade jag för att det inte fanns nåt mer att visa högre upp i just den mätningen och inte neråt i nåvå heller vilket givetvis också går att välja.

Undrar om inte Erik menar bredare tidsspann? inte frekvens spann!?

[Flint]

Hm. intressant, bör kanske gå att utveckla vidare. Men det är som du skriver att det hela måste göras något bredbandigt för att fungera.

Visningen av dist kan bestämmas i frekvens upp till säg Gigahertz. Bilden ovan begänsade jag för att det inte fanns nåt mer att visa högre upp i just den mätningen och inte neråt i nåvå heller vilket givetvis också går att välja.

Undrar om inte Erik menar bredare tidsspann? inte frekvens spann!?

Tidsspannet går att ställa hur högt/långt som helst men då tar förstås också simuleringen längre tid beroende också på kretsens komplexitet. Jag brukar köra 10-50ms för 1kHz vid distmätning men det väljer man som man vill. Det påverkar i viss mån resultatet så man får passa sig lite. Gjorde en del fel där i början men det läste jag mig till på Yahoogruppen hur det fungerade. Nu funkar det bra.

[Flint]

ErikAndersson
Säg nån koppling eller funktion jag ska simulera få se om jag fixar det.

[petersteindl]

Det är nog inte bara bra utan ordentligt bra. Jag körde den här modellen för att kolla ÖD och fann att man aldrig blir av med den förrän man kör klass-A fullt ut. Man flyttar bara upp den till en högre uteffektnivå med ökad bias ända tills den traditionellt rena klass-A-definitionen inträffar dvs. när båda trissorna klipper och stryps symetriskt. Fet klass A/B för en 200Wattare innebär alltså bara att ÖD kommer vid säg 50W istället för säg 1W som det blir med en snålare ställd bias på gränsen till klass B.

Just detta är en springande punkt i definitionsdebatten ang klass A eller klass B eller klass AB.

Det finns en annan sak som du kan prova simulera, nämligen utgångsmotstånden på utgången i transistorförstärkare då sluttrissorna är kopplade som emitterföljare.

Vad händer med nollgenomgångsdisten om motståndsvärdet sätts = den bibolära transistorns Rut vid dess biaspunkt? Låt säga att man har en tomgångsström på 250 mA och om jag inte missminner blir Rut= 0,1 ohm och då väljs emittermotstånden på utgången till samma värde d v s till 0,1 ohm. En sådan arbetspunkt bör ge lägst nollgenomgångsdist.

Hur lätt det är att implementera i praktiken är en annan femma.

MvH
Peter

[petersteindl]

En jämförelse mellan ECC83 och ECC88 vad gäller utstyrbarhet och thd. Jag har försökt få så bra anpassning i arbetspunkt som möjligt. Trimmade till max utsignal med så låg thd som möjligt. Kanske kan man klämma ur lite till om man ägnar ännumer tid åt att välja anodström. Skillnaden obelastat (ok då, 1Meg) är minimal men ECC83 kan förstås inte driva samma tuffa last som ECC88 vilket man får ta hänsyn till när dom ska in på sin respektive arbetsplatser.

Kan du göra en spektralanalys på disten. Då får du fram amplituden på varje delton f2 och uppåt, säg till f9. Tittar man noga på denna dist så ser man att kurvorna går genom noll då grundtonen passerar noll och då är nollgenomgångsdisten = 0 vilket man kan förvänta sig i en SE-koppling.

MvH
Peter

[Flint]

petersteindl
Det där var ju intressant.

I exemplet tidigare är trissorna kopplade som emitterföljare. Är det den kopplingen du menar eller syftar du på någon annan koppling?

Rut är jag inte hemma på. Är det emitterföljarens utgångsimpedans? I den ingår ju emittermotstånden så man får i så fall räkna bort dom vilket inte borde vara omöjligt. Är jag på rätt väg?

[Flint]

Kan du göra en spektralanalys på disten. Då får du fram amplituden på varje delton f2 och uppåt, säg till f9. Tittar man noga på denna dist så ser man att kurvorna går genom noll då grundtonen passerar noll och då är nollgenomgångsdisten = 0 vilket man kan förvänta sig i en SE-koppling.

MvH
Peter

Det blir otydligt att lägga dom i samma bild eftersom dom överlappar varandra så pass mycket. Den övre kan då dölja en kortare undre. Visningen är omräknad så att grundtonen ligger på 100 vilket kan ses som procent vilket i sin tur gör att deltonerna kan ses som procent av grundtonen.


Ut1



Ut2

[petersteindl]

petersteindl
Det där var ju intressant.

I exemplet tidigare är trissorna kopplade som emitterföljare. Är det den kopplingen du menar eller syftar du på någon annan koppling?

Rut är jag inte hemma på. Berätta mer om den. Är det emitterföljarens utgångsimpedans? I den ingår ju emittermotstånden så man får i så fall räkna bort dom vilket inte borde vara omöjligt. Är jag på rätt väg?

Japp. I ditt exempel är utgångsmotstånden R1 och R2 = 0,22 ohm. Vad jag har förstått så är tomgångsströmmen = 117 mA vilket hos en bipolär transistor motsvarar ungefärligen 0,21 ohm på transistorns Rut. Du ligger alltså redan väldigt rätt. Hur mycket man kan vinna genom att optimera värdena vet jag inte men det kan man simulera fram. Det kan vara så att det finns ett riktigt nollställe och då trollar du i så fall bort nollgenomgångsdisten.

En tumregel om jag minns rätt är att 1 ohm Rut på emittern d v s Ri motsvarar 25 mA hos en bipolär transistor. Inverterar man 25 mA så får man värdet 40 och det var nåt med värdet 35-40 hos bipolära transistorer som är en slags transistorkonstant och som sätter Rut på emittern.

Det var så länge sedan jag höll på med transistorkopplingar så jag har förträngt mina gamla kunskaper till förmån för kunskaper angående hur perception och människans medvetande fungerar och utifrån sådan kunskap kan man bygga människoanpassade högtalare

I din modellkoppling kan du t.ex. ändra R1 och R2 till 0,68 ohm vilket är ett populärt motståndsvärde och biasera för bibehållen ström på 117 mA. Spänningsfallet blir då större över motstånden men temperaturregleringen blir effektivare vilket många måste prioritera vid praktiskt bruk. Dock tror jag att nollgenomgångsdisten då kommer att öka.

MvH
Peter

[Flint]

Hmmm... Det kommer att ta lite tid.

[Morello]

Ni glömmer bort att Zut för en bipoär följare inte bara är inversen av transkonduktansen utan:


Zut=1/gm+Zs/hfe

där Zs=källimpedansen som basen på effekttrissan "ser".
hfe är i vanlig ordning strömförstärkningsfaktorn.



Jag skulle gärna se en mer teoretisk redogörelse/bevis om hur Re=Zut skulle minimera disten.

[Flint]

Ni glömmer bort att Zut för en följare inte bara är inversen av transkonduktansen utan:

Zut=1/gm+Zs/hfe

där Zs=källimpedansen som basen på effekttrissan "ser".
hfe är i vanlig ordning strömförstärkningsfaktorn.

Jag skulle gärna se en mer teoretisk redogörelse/bevis om hur Re=Zut skulle minimera disten.

Jag klarar inte att ge någon så den får komma från petersteindl. Jag är inte alls hemma här men kan kanske bli. Jag har däremot sett att det finns ett hårfint område "i början av bias" om man kan säga så som ger väldigt lite ÖD. Jag tippar att det är det området petersteindl försöker definiera.

[Morello]

Var ett tag sedan jag grottade i sånt här. Känner att jag fick ny energi för självstudier och kanske lite simulering.

Jätteskoj Flint att du orkar ge lite relevant input i debatten! Många snackar, men få skrider till verket.

[Flint]

Morello
Jag tackar. Bra att det smittar av sig. Jag gillar att bara dra igång och se vad som händer. Det kan gå helt åt helvete men det kan också bli riktigt skapligt. Spelar ingen roll vilket bara det händer något. Alltid för det med sig något gott som är värt att bevara. Sen har vi inte kommit in på själva kärnan än - branthetens eventuella påverkan på den upplevda dynamiken men det kommer. Det här har bara varit uppvärmning än så länge.

[petersteindl]

Vi bryter av med ett reklaminslag för övergångsdist i ett trissesteg.
Thd 0.023813%. Disten i bild är uppförstorad 1000ggr.

Här har du satt biaskretsen till 1,21 volt.
Det blir 0,605 volt per transistor eller 605 mV. Vi bortser än så länge från offset på utgången.

Spänningsfallet över R1 är 25,7 mV.

Spänningen mellan bas och emitter blir således 579,3 mV.

Bibehålles detta värde som resulterar i 117 mA med 0,68 ohm istället så blir spänningsfallet 79,6 mV, vilket är 53,9 mV mer än tidigare. Eftersom det rör sig om 2 motstånd så blir spänningsfallsökningen 107,7 mV

Då får du plussa på 0,108 volt på dina 1,21 volt = 1,318 volt bias.

Med emittermotstånd på 0,68 ohm och bias på 1,318 volt så bör tomgångsströmmen fortvarande vara 117 mA. Då har du ett simuleringsobjekt. Om nollgenomgångsdistorsionen då ökar så skall jag försöka gräva fram teorin varför I annat fall återgår jag till mina högtalare

Jo, jag glömde nämna en sak. Jag tror inte att det är så enkelt att få ett utpräglat nollställe (om det existerar) av den enkla anledningen att PNP och NPN inte är lika och symmetriska. Dess osymmetri kan du se i din offset på 30 mV på utgången. 30 mV är ganska mycket i sammanhanget då man tittar tillbaks i beräkningarna med millivolt hit och dit. Man kan ju få bort just denna DC på utgången genom att ändra R1 något, men då blir nog risken att AC-osymmetrin blir desto större, men jag har inte studerat just detta så ingående.

MvH
Peter

[DS]

Många snackar, men få skrider till verket.

+1

[Flint]

Jag får en känsla av att det nollstället är väldigt flyktigt. Framspänningsfallet ändrar sig ju en del med temperatur. Jag har inte kommit dit i kursen än att jag kan simulera temperaturpåverkan med någon som helt säkerhet. Däremot kan jag "steppa" simuleringen med olka emittermotsånd eller/och olika biasförsspänning och se vilka värden som ger minst ÖD. Men jag känner mig inte ikapp. Det här måste smälta in.

[petersteindl]

Ni glömmer bort att Zut för en följare inte bara är inversen av transkonduktansen utan:

Zut=1/gm+Zs/hfe

där Zs=källimpedansen som basen på effekttrissan "ser".
hfe är i vanlig ordning strömförstärkningsfaktorn.

Jag skulle gärna se en mer teoretisk redogörelse/bevis om hur Re=Zut skulle minimera disten.

Jag klarar inte att ge någon så den får komma från petersteindl. Jag är inte alls hemma här men kan kanske bli. Jag har däremot sett att det finns ett hårfint område "i början av bias" om man kan säga så som ger väldigt lite ÖD. Jag tippar att det är det området petersteindl försöker definiera.

Jag tippar som du Men om du har möjlighet att simulera med 0,68 ohm och bibehållen biasström så får vi fram ett värdefullt uselt resultat att dra slutsatser från. Det finns många transistorförstärkartillverkare som stångas med biaseringen utan att ändra emittermotstånden. Oftast är det så att strömmen ökas och då tror man att klass A-nirvana skall infinna sig men så blir inte fallet.
Kombinationen måste matchas för bästa ljudliga resultat.

Då jag byggde Push-Pull slutsteg i klass A med tomgångsström på 2,5 ampere så använde jag emittermotstånd på 0,033 ohm Elfa har bra sådana motstånd Det blir bara ett litet rakt metallbleck. Garanterat induktansfria i jämförelse med trådlindat.

Då var det viktigt att ha biastrissan på samma fläns näst intill sluttrissorna för temperaturregleringen. Det går att få temperaturstabilt, men man får jobba hårt

MvH
Peter

[Morello]

Sen har vi inte kommit in på själva kärnan än - branthetens eventuella påverkan på den upplevda dynamiken men det kommer..

Det kan vi nog släppa eftersom det faktiskt bara är gallimathias.

[Flint]

Sen har vi inte kommit in på själva kärnan än - branthetens eventuella påverkan på den upplevda dynamiken men det kommer..

Det kan vi nog släppa eftersom det faktiskt bara är gallimathias.

Jag tror att jag har något i rockärmen där med.

[Nattlorden]

Morello - Skadar väl inte att bevisa det i så fall? Kan väl vara illustrativt/informativt även om det skulle visa sig slöseri med tid?

[Flint]

Jag tror inte jag kan bevisa något men jag har simmat fram något som kan likna en tänkbar förklaring.

[Nattlorden]

Låter intressant. Simma först, djupdykning sen.